台积电与安谋拼制程 预计2017年量产10nm

 　　台积电与全球IP厂安谋（ARM）19日共同宣布，完成首款采用台积电10 纳米FinFET（鳍式场效晶体管）制程生产的多核心64 位ARM 架构处理器测试芯片。

　　外界预期，该芯片应为苹果的新世代A11 处理器，也意味着台积电已做好准备承接苹果新处理器代工订单，而台积电亦可望在2016 年的16 纳米、2017 年的10 纳米、2018 年的7 纳米独占苹果A10、A11、A12 等处理器订单。

　　据法人透露，台积电的10 纳米制程预定将于2017 年第一季量产，大幅领先三星，可望为营运增添强劲动能。

　　此外，台积电也将与安谋共同开发最先进的7 纳米芯片，挑战英特尔霸主地位。

　　据悉，台积电曾透露，旗下7 纳米制程已有约20 个客户，预料2017-2019 年间，产品会密集产出；台积电预定于2018 年上半年开始量产7 纳米芯片。

　　港商德意志证券半导体分析师周立中指出，近期主要晶圆代工客户，均转向找上台积电进行7 纳米研发，因此预估三星7 纳米研发制程可能落后台积电6-12 个月，预估2018、2019 年，台积电7 纳米市占将超过85%，高于16、14 纳米在同时期的表现。

　　台积电研发副总经理侯永清指出，公司与安谋合作的10 纳米FinFET 技术，将为各种高阶行动装置及消费性电子产品的用户带来崭新体验；且透过与安谋合作，让台积电的制程技术与IP 的生态系统能快速地进展，也加速客户的产品开发周期。

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