国家存储器基地动土 要建3座全球最大3D NAND厂
倾大陆国家之力的中国长江存储存储器基地正式于2016年12月30日开工,而此项目前身为武汉新芯存储器基地,在历经中国紫光与武汉新芯合体后,重新找地建新厂,强调要打造全球单座洁净室面积最大的3DNANDFlash新厂。
紫光集团于2016年12月30日在大陆武汉东湖高新区举移动土典礼,宣布中国国家存储器基地正式开工,该建设项目联合紫光集团、国家集成电路产业地方基金(大基金)、湖北省地方基金、湖北省科投等共同出资,项目总投资金额达240亿美元。
紫光集团暨长江存储董事长赵伟国赵伟国典礼中强调,国家存储器基地正式动土开工不仅仅是一个项目的开工,更代表大陆存储器芯片规模化发展的突破,而存储器基地也是中国积体电路产业单向投资最大的项目。
存储器基地位于武汉东湖高新区“武汉未来科技城”,据悉,此项目前身为2016年5月才动土的武汉新芯存储器基地,而在7月武汉全城淹水后,中国紫光与武汉新芯合组长江存储公司,高层在重新视察后,南移至同位于武汉东湖高新区的豹澥地段。
该地占地1,968公亩(约595万坪),官方宣布将建设全球单座洁净室面积最大的3DNANDFlash厂房3座,以及1座总部大楼和落干配套建筑,核心厂房与设备每平方公尺投资将超过3万美元,同样预期于2018年完成建厂投产,2020年完成整个项目,总产能同先前目标,将达到一个月30万片,官方预估年产值逾100亿美元。
业界人士指出,虽然紫光集团强调技术自主研发,但近期已积极对台展开大规模挖角移动,值得有关单位和企业密切注意。
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