功率半导体:自主可控迫在眉睫 产业地位稳步提升
与市场的不同的观点:传统观点认为功率半导体竞争格局固定,技术升级步伐相对缓慢,与集成电路产业的重要性不可同日而语,中泰电子认为随着新能源车和高端工控对新型功率器件的需求爆发,功率半导体的产业地位正在逐步提升,其重要性不亚于规模更大的“集成电路”。大陆半导体产业的崛起需要“两条腿走路”(集成电路+功率器件),由于功率半导体的重要性被长期低估,我国功率半导体产业存在规模小、技术落后、品类不全等诸多不足,适逢我国半导体投融资渐入高峰期,行业龙头有望率先受益。大行业小公司产业现状给予充足的发展空间,内生发展和外延并购预期充足,预计产业有望进入高速发展期。
全球功率半导体市场风起云涌,行业整合步伐加速。作为电力控制/节能减排核心半导体器件,功率半导体器件广泛应用于从家电、消费电子到新能源汽车、军工轨交、智能电网等诸多领域。顺全球半导体产业洗牌大势,近年来功率半导体产业整合步伐急速提升。建广资本27.5亿美元收购NXP标准部门完成交割,力图填补国内汽车、工业功率IC领域空白;美国政府管控趋严,Infineon收购Wolfspeed被迫终止。功率半导体已成为当前半导体领域最受资本追逐的热门产业之一。
新能源全产业链势头正旺,IGBT等高端器件迎来需求爆发期。功率器件约占新能源汽车整车价值量的价值量10%,Mosfet、IGBT等功率模块亦是充电桩/站等设备核心电能转换器件。中国已成为全球第一新能源汽车市场,同时光伏/智能电网/充电桩等全产业链将持续拉动各类型功率器件市场;仅IGBT这一高端器件来看,预计2020年国内IGBT市场规模将超200亿元,年复合增长率达15%,国产替代空间广阔。此外,薄膜电容作为IGBT应用之必不可少配套元器件,随新能源汽车市场趋热需求大涨,高端薄膜电容产品单体价值量/毛利水平高稳步提升。
积极布局SiC等第三代器件,借力政策优势力争弯道超车。Si基器件面临物性瓶颈,SiC/GaN宽禁带材料性能优异,未来有望逐步成为市场主流器件类型。国内厂商第三代宽禁带半导体研发及产业化项目稳步推进,目前已成功研制出SiC肖特基二极管、氮化硅钝化GPP芯片等新型产品,受益于国内政策红利及自主替代必然趋势,未来有望批量生产实现高端进口替代。
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