SK海力士72层3D NAND存储器,传明年领先全球量产
SK海力士最先进72层3D NAND存储器传明年开始量产,韩联社周一引述知情人事消息报导指出,SK海力士计划于2017上半年完成芯片设计,位在利川(Icheon)的M14厂将可在下半年开始生产。
若按计划进行,SK海力士将成为全球第一个量产72层3D NAND的存储器厂。为因应市场需求增温,SK海力士上周已宣布将在韩国与中国两地,投资3.15兆韩圜来增加DRAM与NAND存储器产能。
随着微缩制程遭遇瓶颈,业者纷纷改以3D垂直方式堆叠存储器做突破,但工艺技术各不相同。目前技术领先的三星已于2013年量产48层3D NAND存储器,至于64层3D NAND芯片也将在今年底开始投产。
据市调机构DRAMeXchange统计,三星第三季NAND存储器营收来到37.44亿美元,市占率较前季进步0.3个百分点至36.6%。东芝以19.6%位居第二,Western Digital、SK海力士与美光分居三、四、五名,市占率依序为17.1%、10.4%与9.8%。
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