AMD的第N次逆袭：7nm芯片再挑英特尔服务器市场

　　目前，两大韩系NAND Flash 厂商──三星及SK 海力士在之前就已经公布了新NAND Flash 产品的发展规划。其中，三星宣布推出136 层堆叠的第6 代V-NAND Flash 之外，SK 海力士则是宣布成功开发出128 层堆叠的4D NAND Flash，并已经进入量产阶段。不过，虽然两家厂商竞相推出NAND Flash 的新产品，但是堆叠技术的发展至今仍未到达极限。所以，SK 海力士日前在一场会议上就公布了公司的规划，预计在2030 年推出800+ 层的NAND Flash，届时将可轻松打造出100 到200TB 容量的SSD。

　　在日前举行的? Flash Memory Summit ? 大会上，SK 海力士公布旗下新产品的规划以及公司的相关布局。根据内容指出，目前SK 海力士正在开发128 层堆叠的4D NAND Flash，其量产时间将落在2019 年第4 季。另外， SK 海力士还展示了一款「PE8030」的全新SSD，采用PCIe 4.0×4 介面连接，提供了800GB、1600GB、3200GB、6400GB 容量，连续读写速度最高可达6200MB/s、3300MB/s ，而4KB 随机读写最高可达950K IOPS、260K IOPS。

　　在研发发展方面，目前SK 海力士正在研发176 层NAND Flash，而其他产品的发展，包括72 层堆叠的4D NAND Flash 目前大规模量产中，96 层堆叠的4D NAND Flash 目前也在大规模量产中，而且未来产能即将超越72 层堆叠的4D NAND Flash。128 层堆叠的4D NAND Flash 将于2019 年第4 季量产，176 层堆叠产品2020 年问世、500 层堆叠产品则将于2025 年问世，其TB/wafer 容量比将可提升30%。而800+ 堆叠的4D NAND Flash 则是预计2030 年问世，TB/wafer 容量比提升到100 到200TB 的

　　据了解，目前SK 海力士生产的128 层堆叠NAND Flash 核心容量是1Tbit，176 层堆叠的核心容量则是来到1.38Tbit，预计500 层堆叠时核心容量可达3.9Tbit，到800 层堆叠时则会高达6.25Tbit，是现在的6 倍多。而若以当前SSD 固态硬碟的容量计算，目前最大容量约在15 到16TB 左右。而依照6 倍核心容量的成长幅度来计算，未来SSD 容量可达200TB 左右，这个容量要比当前的HDD 还要更大。

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